Проф. др Димитрије А. Тјапкин

Проф. др Димитрије А. Тјапкин

Проф. др Димитрије А. Тјапкин

Електротехнички факултет

Проф. др Димитрије А. Тјапкин, редовни професор Електротехничког факултета у Београду у пензији, рођен је 1926. године у Пећи од оца Аркадија и мајке Вере Иванов, где је завршио гимназију 1945. године. Дипломирао на Електротехничком факултету 1950. године где је и докторирао. На усавршавањима у трајању од годину дана био у Физичко-техничком институту у Брауншвајгу 1956., Институтима Пољске АН, и развојној лабораторији фирме Thomson-CSF, Париз (1956. и 1960.), све из области технологије полупроводничких компоненти. На ЕТФ-у од 1950. године као асистент; у звање доцента изабран 1958., ванредног професора 1967. а у звање редовног професора 1971. године. Упоредо радио у развоју Фабрике Никола Тесла (1950.), Конструкционом бироу ваздухопловне индустрије (1953.), Електронској лабораторији Института у Винчи 1953-1957. и Институту за физику од 1963., од 1966-1971. био помоћник и заменик директора.
На Електротехничком факултету био шеф Катедри за електротехничке материјале (1965-1975.) и за микроелектронику и техничку физику од 1982. до 1991.; старешина Одсека за техничку физику од 1971. до 1975., продекан (1969/71) и декан (1975/77). Године 1974. изабран је за дописног члана Европске академије наука, уметности и књижевности (Académie Européenne des Sciences, des Arts et des Lettres, Paris), 1997. године, а за редовног члана Инжењерске академије Југославије, 1998. године. Члан је југословенског друштва за ЕТРАН од оснивања, а почасни члан Председништва од 1997. Члан редакционог одбора часописа Scientic Review НДС, часописа Publications of the Faculty of El. Eng. Series Engineering Physics, ЕТФ-Београд.
Активан је учесник на пленарним и научним скуповима, као и саветовањима и симпозијумима. У својству председника Комисије за физику Републичке заједнице науке и потпредседника Координационог одбора за праћење реализације САС-а о развоју микроелектронке у Србији (1984-1987), такође утиче на развој његове струке. У оквиру ових активности био је и међу истакнутим организаторима научних и стручних, домаћих и међународних скупова, саветовања и конференција, као што је организовање саветовања о полупроводницима у Загребу 1958., Међународни симпозијум о физици површина у Дубровнику 1977., итд. Проф. Тјапкин је један од оснивача Југословенског друштва за ЕТАН (1953) и учесник свих његових конференција.
Професионална оријентација проф. Тјапкина су електронске полупроводничке компоненте (технологија и физичка електроника). Иницијатор је формирања Групе за полупроводнике при ЕТФ-у (1955.), која је развила прве диоде и транзисторе у земљи, касније произвођених у ЕИ у Нишу. Ова група је касније прерасла у посебан Центар за микроелектронске технологије ИХТМ-а, Београд.
У високошколску дипломску и постдипломску наставу Београдског и Нишког универзитета уводи (од 1958) област Физичке електронике и Физике чврстог тела – полупроводника. Такође је увео област микроелектронске технологије и поузданост, преко предмета Елементи електронских уређаја и Физичка електроника чврстог тела. Проф. Тјапкин се може сматрати творцем области физичке електронике полупроводника и уопште науке о материјалима код нас. Један је од оснивача Катедре за електротехнички материјал као и Лабораторије за технологију електротехничког материјала и Елементе електронских уређаја (1954) а оснивач је Лабораторије за полупроводнике (1967), на ЕТФ-у у Београду.
Издао је преко 200 дипломских радова; развоју научног подмлатка, допринео учешћем у око 40 докторских односно 80 магистарских теза (од тога као ментор – за 18 односно 39 теза). Аутор је 8 универзитетских уџбеника издаваних од 1958. до 1994. Они представљају и (скоро једину) стручну литературу на нашем језику из ове области, од којих се наводе: Физичка електроника и електронска физика чврстог тела. Научна књига, Београд, 1980. Зборник проблема из физичке електронике и електронске физике чврстог тела. Електротехнички факултет, Београд, 1994.
Аутор је или коаутор преко 200 научних или стручних радова од чега у реномираним међународним публикацијама – преко 50 радова. У последњих 20 година његови радови су цитирани у преко 170 радова других аутора. Наводе се следећи радови у којима је проф. Тјапкин аутор или коаутор: Evaluation théorique et expérimentale des tensions des claquages dans les transistors. Commun. du Colloque intern. sur les dispositifs a semi-conducteur, Paris, 1961.; P-n Transition Capacitance. Solid-State Electr. (1971).; Determination of Aribitrary Doping Profile in P-N functions. Electronics Lett. (1978).; Semi-empirical Determination of Avalanche Breakdown Temperature Parameters in P-N Junctions. Solid-St.Electr. (1984).; Resonant Second Harmonic Generation by a Semi-Conductor Quantum Well in Electric Field. IEEE Journ. of Quantum Electronics, (1989); Температурска зависност Фермијевог нивоа према двозонском моделу допираног полупроводника. Зборник XXXIII Конф. ЕТАН-а, Нови Сад (1989).; The influence of Hybridization of the Impurity and the Conduction Bands on the Density of States of Doped Semiconductors. Phys.Stat.Sol.(b), (1989).; Electrical Conductivity of Doped Semiconductors: The Two-Zone Hybrid Model Approach. Semicond. Sci.Technol. (1990). Shallow Impurities in a Quantum Well: Hibridization Aspect. 20th Internatinal Conference on Microelectronics, Niš (1995).; Electronic and Optical Properites of Semiconductor Quantum wells and Superlattices. Proc. First Yugoslavian Advanced Materials Conference, Herceg Novi, Materials Science Forum, (1996).
Најважнији научни доприноси: Увођење „струјне“ концепције одређивања капацитивности p-n спојева (и MISIM структура) – Одређивање произвољног профила примеса p-n спојева – Моделовање појава пробоја у p-n спојевима са формулисаним новим температурским ефектима – Развијање (самосагласних) метода за прорачун проводности у (јако) допираним полупроводницима у врло широком дијапазону садржаја примеса (1:106) – Проучавање квантизације електричним пољем у инверзним слојевима, MIS структурама, квантним јамама и супер-решеткама – Увођење истраживања флуктуационих процеса и повезивање истих са физиком отказа полупроводничких направа.
Руководио је са већим бројем примењених и фундаменталних пројеката за привреду. Сада, као професор у пензији, води подпројект Моделовање полупроводничких компоненти у пројекту Полупроводничка микроелектроника, и смер Физичка електроника чврстог тела и плазме на постдипломским студијама.
За свој рад добио је многа признања: Седмојулска награда за 1963. Повеља СМЕИТЈ-а, у знак признања и захвалности за допринос у развоју електротехнике, поводом 25 година СМЕИТЈ-а (1977.). Југословенска звезда за ЕТАН за електорнске саставне деле. Орден рада са црвеном заставом. Октобарска награда града Београда за 1991. годину.